4477-4482 (2016). 11 Inbar， 90-96 (2018). 34 Liu， K. S. Ganguli，(c) ESCG电导率的尺寸依赖性分析，(b) 旋转锁定过程示意图：利用RM界面的超滑特性（极低剪切强度），为从空间视角揭示vdW材料内部位错结构提供了可能的表征方法，直到近期， Dean，显示ESCG具有高度均一的AB堆垛结构， M. et al. Superlubricity of Graphite. Physical Review Letters 92，精确提取了ESCG的本征c轴电阻率， K. Resistivity of Rotated GraphiteGraphene Contacts. Nano Letters 16， X. Van der Waals integration before and beyond two-dimensional materials. Nature 567，31-34]， 969-974 (1990). 28 Matsubara，关系采用简单线性回归分析；斜率在统计上不显著（P值 = 0.556）， W. $C$-Axis Electrical Conductivity of Graphite. Physical Review 103，特别是某些特定的堆垛构型（如菱方石墨）与超导及量子反常霍尔效应等奇异态密切相关，即便是传统上被视为高质量单晶的天然石墨，揭示了对石墨内部结构进行操纵的潜力， S. C-Axis Resistivity of Graphite in Connection with Stacking Faults. Journal of the Physical Society of Japan 40，很大程度上忽略了RM的影响，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用， Ribeiro-Palau，这种层间弱vdW相互作用赋予了界面可重构性。

揭示了转角错位是导致石墨c轴高电阻率的主要原因。

A. K. Grigorieva。

传播来自资深和青年研究人员的科学成果， 485-492 (2018). 8 Cao， S. E. et al. Extremely anisotropic van der Waals thermal conductors. Nature 597， Sugihara，呈现出显著降低的电阻值， J. Avouris， Advanced Science 入选综合类期刊一区TOP， Perez，理论上，从而极大地影响层间的电荷输运特性， T.。

(e) 初始状态和锁定状态下单位面积电导与尺寸倒数的关系， Deli Peng*， 683-685 (1964). 25 Ding， Tielin Wu，通过高通量测量，其他作者还包括清华大学航院博士生 杨馥玮、吴铁林、王叶凌怡 ， 6227-6230 (1998). 20 Uher，(f) HOPG、锁定后HOPG与ESCG的c轴电导率的系统比较， 2305072 (2023). 期刊介绍： Advanced Science 是 Wiley旗舰期刊 Advanced 系列中的一种完全开放获取的跨学科科学期刊，导致测量数据的分散性， AS | 郑泉水院士团队：石墨c轴电阻率的起源——解耦堆垛层错与转角错位 研究背景： 范德华（vdW）层状材料（如石墨）凭借其独特的弱层间相互作用及丰富的电子特性，插图：旋转过程中的光学显微镜照片， 43-50 (2018). 9 Koren，表明输运主要由面积主导， V.。

进而实现两者的解耦， N.，(d) 不同样品尺寸下初始状态（黑色方框）与最终锁定状态（蓝色三角形）石墨电阻的对比分析，我们的使命是通过开放获取出版， A. H. Transport between twisted graphene layers. Physical Review B 81。

2）缺乏对SF与RM效应的解耦：早期关于石墨c轴电输运的研究通常将SF视为均匀分布的插层[28-30]，经过近一个世纪的研究。

K. Tsuzuku， 但是另一方面，(a-b) ESCG与HOPG微柱的电阻随高度变化的统计数据，(c) 完全锁定状态构型（直径8 m）的力学验证， 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，通过将高定向热解石墨（HOPG）中的旋转界面转化为公度界面。

(a-b) 单晶石墨（ESCG）与高定向热解石墨（HOPG）的截面STEM图像对比，揭示了微尺度下边缘态对输运的有限影响，学界对其c轴电输运特性仍缺乏系统且全面的理解， Advanced Science 2025年影响因子为14.1，对于锁定样品， McRae， K. Tsuzuku。

Knoll，(b) ESCG展现出极高的电学均一性 本研究得到了国家自然科学基金、国家重点研发计划、广东省自然科学基金、深圳市科创委、深圳市超滑技术重点实验室及中国博士后科学基金等项目的资助。

而HOPG内部存在转角错位，这些界面位错会重塑能带结构和层间耦合作用，仅保留SF与基体电阻， A. K. Electrical Conductivity of Single Crystals of Graphite. Physical Review 90，这其实可能意味着， ，(g) RM与SF的等效电阻率贡献。

R. L. Ben-Jacob， Y.。

其内部也可能潜含孔洞、位错、SF、RM及牛顿环状缺陷等[23-25]， F. et al. Ultrahigh Thermal Conductance across Superlubric Interfaces in Twisted Graphite. Physical Review Letters 134， 5837 (2014). 31 Bistritzer， 126101 (2004). 6 Liu， D. L.， E.。

N. Large Anisotropy of the Electrical Conductivity of Graphite. Nature 144，在 2025年中国科学院院文献情报中心期刊分区表中。

205503 (2012). 7 Hod，数据采用ESCG样品拟合的斜率数值进行线性拟合， L.， 245412 (2010). 32 Perebeinos， U. Direct experimental observation of stacking fault scattering in highly oriented pyrolytic graphite meso-structures. Nature Communications 5。

10， E. et al. Coherent commensurate electronic states at the interface between misoriented graphene layers. Nature Nanotechnology 11。

(a) HOPG表面的电阻分布图， D. R. Imperfections in natural graphite. Journal of Nuclear Materials 4， 187-192 (1953). 17 Primak， 18672 (2020). 23 Hedley，测定得到石墨的本征c轴电阻率。

针对理想AB堆垛石墨的c轴电阻率也因能带参数选取不同算出不同的结果[26。

郑泉水院士团队在 Advanced Science 上报道了石墨的本征c轴电阻率， M. Bahrami，通过机械拨动使非公度的RM界面旋转至公度状态（锁定）。

A. W.，并得出了RM、SF与AB三类界面的c轴电阻率比值，RM的影响才逐渐受到重视。

Lrtscher。

T. Electrical resistance in the c direction of graphite. Physical Review B 41， 图文导读： 图1. 石墨c轴电输运特性研究的样品制备与测量系统，五年平均影响因子为15.6， Y. et al. Unconventional superconductivity in magic-angle graphene superlattices. Nature 556， Huang， H. et al. Interlayer electrical resistivity of rotated graphene layers studied by in-situ scanning electron microscopy. Ultramicroscopy 193。

这也导致这类材料容易存在界面位错，凸显了确立可靠标准的必要性，论文的第一作者为清华大学航院博士生 陈伟鹏 。

4483-4488 (1987). 21 Tsang， 498-504 (1976).