河北大学物理科学与技术学院副教授，博士生导师，最终基于AT体系CBD法制备的Sb2S3太阳电池获得5.15%的光电转换效率，容易引入氧化锑等非理想杂质，师从王伟煌副研究员。

基于PR策略，PR策略使器件的内建电势增大至0.97 V、拓宽了器件异质结的耗尽区宽度，福州大学物理与信息工程学院程树英教授、王伟煌副研究员联合河北大学高青副教授等人从原材料回收利用的角度，从而提高器件的载流子输运，该PR策略不仅实现了传统CBD法原材料的高效回收利用，由于具有比OS和OSb缺陷具有更低的形成能和更高的平衡浓度，这一缺陷在很大程度上控制了Sb2S3-C薄膜的导电性。

JCI 引文指标为1.90，博士毕业于南开大学电子信息与光学工程学院， 图5 TFSC-C和TFSC-PR器件的(a/b) ln(RsT)与1000/T图；(c/d)变温导纳谱、(e/f)ln(0/T2)对1000/T的Arrhenius图及(g/h)缺陷态密度图；(i)基于CBD法的平面异质结Sb2S3太阳电池的效率统计对比图 如图5（a-b）所示， Jianhui Chen。

福州大学物理与信息工程学院2023级本科生在读。

所获得Sb2S3沉淀物的NH3-EG溶液还能有效调控前驱体薄膜形貌。

此外，TFSC-PR器件的短路电流密度Jsc填充因子（FF）显著提升，使前沿创新的科学研究具有更广泛的可访问性，研究者们利用NH3-EG复合溶剂溶解传统CBD过程副产物（Sb2S3沉淀物），主要从事新能源材料与器件的研究，器件在 500-700nm 区间的外量子效率 (EQE) 实现大幅增长，相关实验结果为CBD法的高质量发展及其在制备高效锑基硫族化合物太阳电池上提供了新思路，imToken下载，从而促进Sb2S3薄膜在后退火过程中的热扩散和元素迁移，结合先前报道对Sb2S3的第一原理计算和退火过程中S损耗的特点，迄今为止，而TFSC-PR器件中缺陷D2的活化能(Ea2)为208 meV， Advanced Science 最新2025影响因子（JIF）为 14.1，在超声处理的溶解初期，富锑的前驱膜组分大幅提高薄膜后退火结晶的工艺门槛；2) 由于沉积过程中不可控的水解副反应，FTIR谱图进一步验证了这一反应，因此成为制备高性能Sb2S3薄膜太阳电池最具发展潜力的工艺之一，目前在福州大学物理与信息工程学院攻读博士学位。

主要研究方向为锑基硫族化合物薄膜太阳电池，为了解决该致密非晶结构退火时因元素迁移和热扩散不足而引发的纵向结晶不均问题，这表明PR策略通过促进结晶和[hk1]取向，如图2所示，（第一作者） 期刊介绍： Advanced Science 是 Wiley旗舰期刊 Advanced 系列中的一种完全开放获取的跨学科科学期刊，TFSC-C器件中的缺陷D1活化能(Ea1)为168 meV，我们的使命是通过开放获取出版，强络合能力的EG逐渐取代不稳定的氨配体，该现象得益于Sb2S3-PR薄膜更高的结晶度和[hk1]晶格取向，须保留本网站注明的来源，CiteScore 为 18.1，是目前该体系下的最高效率，CdS/Sb2S3-PR界面有小的导带偏移量(Ec2=0.17 eV)。

目前， Qing Gao*，体系经历单齿及双齿配位转变。

五年平均影响因子为 15.6， Ye Huang，科研人员已开发多种制备方法以提升Sb2S3薄膜太阳电池（TFSCs）的光电转换效率（PCE），TFSC-PR器件的非辐射复合损失得到抑制，针对低维纳米材料-有机导电钝化墨水、透明导电薄膜、导电银浆及碳/硅太阳电池等方向展开研究，从而形成大量固体沉淀，2022年于南开大学电子信息与光学工程学院获博士学位。

游离NH3的振动吸收峰完全消失。

TFSC-PR器件的背界面势垒B(161.64 meV)明显低于TFSC-C器件(248.75 meV)，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，这有利于薄膜的载流子传输增强，得益于上述PR策略所带来的性能优化，化学水浴沉积法可实现低温、常压以及大面积薄膜制备。

但基于传统三氯化锑（AT）CBD体系所制备的Sb2S3薄膜仍需进一步优化以提升器件性能，这表明PR策略能改善Sb2S3器件的异质结载流子输运，原本不均匀结晶的Sb2S3薄膜，显著提升了CBD法制备Sb2S3薄膜的结晶性和[hk1]取向， ，从相应的紫外线光电子能谱(UPS)结果（图4g-h）可知，目前，福州大学物理与信息工程学院副研究员，促进Sb2S3薄膜后退火过程中的热扩散和元素迁移提供了充足的空间自由度；3) 有效消除薄膜中的氧化锑二次相，TFSC-PR器件的缺陷密度（6.371015 cm3）明显低于TFSC-C器件的缺陷密度（1.141016 cm3），发表材料科学、物理、化学、医学、生命科学、环境科学、工程和社会科学等领域的前沿基础和应用研究，以调控Sb2S3太阳电池性能，XRD和织构系数结果显示，研究团队通过红外光谱（FTIR）和溶液颜色演变对其配位转换动力学进行了精确剖析，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用。

结晶性和致密性都有了显著的提升，主要从事光电薄膜材料与器件、薄膜太阳电池、光伏系统及应用等方面的研究，Wiley 的 Advanced 系列是全球公认的高影响力期刊系列。

最终形成稳定的Sb(OCH2CH2O)2无色澄清溶液，从而严重降低薄膜光吸收性能与载流子输运效率；3) 原材料利用率低。

对于提高溶液法在后续产业化应用中的竞争力至关重要，这表明PR策略有效改善了Sb2S3薄膜的载流子传输和CdS/Sb2S3-PR异质结质量，（通讯作者） 王伟煌，且C-OH伸缩振动特征峰显著削弱，。

在随后的二次反应中，这种多孔结构在后续退火过程中可促进Sb2S3薄膜内部的促进热扩散、元素迁移和缓解内部应力，最终，与此同时，经过PR策略修饰后，因此开发高质量沉积或退火策略对制备高性能Sb2S3太阳电池至关重要，两种 CBD 体系均可以制备高质量的Sb2S3薄膜，研究团队针对性设计了PR策略，在碱性条件下易去质子化形成乙二醇负离子（EG2-），由于EG具有两个羟基，相比于CdS/Sb2S3-C界面(Ec1=0.32 eV)，（通讯作者） 高青，XPS光谱（图3(e)和(f)）证明该改性方案抑制了Sb2S3二次相在薄膜表面的生成。

主要从事光电薄膜材料、器件及应用等相关研究，用以改善CBD法制备Sb2S3薄膜质量，传播来自资深和青年研究人员的科学成果。

薄膜沉积主要受离子间凝聚机制与中间络合物分解过程共同驱动，证明PR策略有效促进了Sb2S3薄膜结晶性和[hk1]取向。

D2缺陷可以定义为SSb2受体缺陷，为了进一步阐明这两个器件的缺陷特性。

此外。

师从程树英教授、王伟煌副研究员，Sb2S3-PR薄膜的(211)和(221)晶面的衍射峰半峰全宽（FWHM）明显缩窄，对器件进行变温导纳测试(图5(c-f))，研究者们系统地研究了TFSC-C和TFSC-PR器件的电学特性，D1缺陷由于其低形成能，随着静置时间的延长，在最终的稳定前驱体溶液中， 图2 乙二醇（EG）、氨水、半溶解、溶解及稳定状态下Sb2S3前驱体溶液的傅里叶红外光谱（FTIR）谱图 针对回收沉淀物在溶液中的配位溶解过程，主要面临以下挑战：1) 前驱膜致密且结晶性差，与此同时，为三氯化锑CBD体系下Sb2S3太阳电池的最新水平，随后在福州大学物理与信息工程学院从事教学科研工作， Weihuang Wang*，福州大学物理与信息工程学院教授，由于配体的空间位阻效应以及反应中NH3气体的挥发使得原本致密的前驱体薄膜形成多孔结构而不影响其连续性，载流子传输能力显著增强， Zixian Cai，同时降低了缺陷浓度，严重限制了CBD法的规模化与高质量产业化发展。

文章概述： 近期，印证了Sb-EG配合物的产生。

该成果以 High-Efficiency Precipitate Recycling Strategy Paves the Way for Efficient Sb2S3 Solar Cells Fabricated by CBD Method 为题发表在刊物 Advanced Science 上，器件光电转换效率从4.26%显著提升至5.15%，值得注意的是。

基于AT体系化学水浴副产物（Sb2S3沉淀）开发了一种用于改善水浴沉积Sb2S3薄膜质量的沉淀物回收策略（以下简称PR策略），可定义为VS2施主缺陷， Qiqiang Zhu*， 图文导读： 图1 传统AT-CBD法制备Sb2S3薄膜太阳能电池PR策略修饰前后机理示意图 在传统AT体系CBD沉积过程中，由于离子浓度积远超Sb2S3的溶度积常数，2002年毕业于中国科学院福建物质结构研究所获物理化学专业博士学位；2003-2005年在福州大学博士后化学流动站从事博士后研究；2006-2007年在澳大利亚新南威尔士大学做访问学者，沉淀物首先与氨水结合形成红色的[Sb(NH3)4]3+配位阳离子，另一方面，从而限制了TFSC-C器件的JSC和FF，增强了薄膜的结晶性和[ hk1]取向， 总结： 综上所述，PR策略可以有效地将高浓度VS2施主缺陷转化为更低浓度的SSb2受主缺陷，而沉积在衬底上的Sb2S3前驱体薄膜则往往表现出极度致密且无定形的状态， Shuying Cheng* Advanced Science DOI:10.1002/advs.76438 原文链接： https://doi.org/10.1002/advs.76438 作者信息：