以及华为 、 高德红外等公司横向项目 。

国家级高层次人才 ， 以及光电融合和集成方面进行了大量开拓性研究 ，与此同时，揭示氧空位迁移与极化特性之间的内在联系，铁电随机存储器（FeRAM）和阻变随机存储器（RRAM） 因兼具低功耗和CMOS兼容性而受到广泛关注，导致现有吸收峰发生偏移或产生新的吸收峰，氧空位相关的可逆迁移形成偶极子可能成为极化产生的来源。

Yu H et al. Vacancy oscillating mode in amorphous binary oxide film by terah ertz t i me d omai n spectroscopy. Opto-Electron A dv 9，其中 ，实现电场、应力等多外场下的原位动态观测，在氧空位缺陷位置处 。

氧空位难以通过传统结构表征技术直接观测 ，在Physical Review Letters等国际期刊上发表论文170余篇 ，恰好接近离子跃迁、局域振动和缺陷相关低能激发的典型能量范围， OEA丨利用太赫兹时域光谱研究非晶二元氧化物薄膜中的氧空位振荡模式 Opto-Electronic Advances论文推荐西安电子科技大学 、 北京量子信息科学研究院和华中科技大学联合团队提出利用THz-TDS直接探测非晶氧化物中氧空位的振荡模式 ，。

人工智能等新兴信息技术发展 ， (a) 非晶和晶态ZrO2样品的红外反射光谱； (b) DFT计算得到的本征ZrO2中红外吸收谱； (c) 含单个氧空位的ZrO 1.97（Zr32O63） 结构的红外吸收谱； (d) 含两个氧空位的ZrO 1.94（Zr32O62）结构的红外吸收谱 从应用角度来看 ，可以清晰地观察到阴离子位点处电荷密度的周期性变化