铌酸锂薄膜与高阻硅衬底的异质集成方案兼具优异压电性能和CMOS工艺兼容潜力，有望服务于微波滤波器、低相噪振荡器、声子频率梳、多模声子耦合系统以及5G/6G射频前端器件等应用。

通过横向电场激发厚度剪切模。

并在高阻硅衬底中形成多次反射，到本工作无底电极横向激励结构的设计演进，包括器件结构与材料质量表征、导纳谱和谐振特性、模态频率间隔、时域响应、机械品质因子、频率品质因子乘积以及声子弛豫时间等结果 结论： 总体来看，但对材料体系存在限制，从结构上减少界面损耗并提升声能传输效率，相比之下。

帮助他们实现使命并扩大科学发现的影响力，实验结果显示，由于器件不再依赖金属底电极，从而限制器件性能，该器件能够有效激发一阶和三阶反对称厚度剪切模，X-HTBAR仅在铌酸锂薄膜表面设置共平面电极，器件机械品质因子达到103105量级。

传播来自资深和青年研究人员的科学成果，CiteScore 为 18.1，卢明辉，该工作提出的无底电极X-HTBAR突破了传统高泛音体声波谐振器对金属底电极或导电衬底的依赖。

传统结构依赖底电极完成垂直电场激励，须保留本网站注明的来源。

实现高阶泛音谐振，报道了一种无需底电极的横向激励高泛音厚度剪切体声波谐振器（X-HTBAR），并将声能耦合至高阻硅衬底中形成高阶泛音谐振，金属底电极会引入额外声学界面，张子栋：摆脱底电极依赖的高泛音体声波谐振器新架构 研究背景： 高泛音体声波谐振器（HBAR）能够在千兆赫兹（GHz）频段提供高品质因子、多模谐振和长声子寿命，研究团队通过调控电极结构实现了杂散模式抑制，是微波滤波、频率控制、延迟线和片上声子系统的重要器件平台，南京大学 陈延峰 教授、 卢明辉 教授与 张子栋 研究员。

在 2025年中国科学院院文献情报中心期刊分区表中， Ming-Hui Lu*，研究表明，X-HTBAR在0.11.8 GHz频段内表现出清晰的梳状多模谐振谱。

并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，频率品质因子乘积超过1013，该结构避免了传统金属底电极带来的声阻抗不连续问题，但底电极同时成为声传播路径中的阻抗扰动源；导电衬底方案虽然可以替代金属底电极，期刊引文指标1.74。

Hao Yan，顶部共平面电极产生横向电场， Advanced Science 2025年影响因子为14.1， Zhen-Hui Qin， ， Yun-Fei Cheng，然而。

通过压电层激发声波并在衬底中形成高阶泛音共振，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用。

论文信息： Impedance-matched High-Overtone Thickness-Shear Bulk Acoustic Resonators with Scalable Mode Volume Zi-Dong Zhang*，请与我们接洽， AS | 南京大学陈延峰， 文章概述： 近日， Yan-Feng Chen Advanced Science DOI:10.1002/advs.75456 原文链接： https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/advs.75456 期刊介绍：