Bo-Chao， Ya-Ping IssueVolume: 2026-07-01 Abstract: Transistors based on two-dimensional (2D) materials are on the roadmap for the beyond 1nm logic technology node1. This stems from their ultrathin thickness and defect-free surfaces， Kai-Wei，。

Lain-Jong。

研究组使用截面扫描隧道显微镜直接测量了铋接触的单层MoS2晶体管接触区域处的载流子传输长度， Tseng， Hung-Chang，5. The physical channel length of 2D transistors may eventually reach 10nm for advanced node devices. However， providing information for the development of future ultra-scaled electronic devices. DOI: 10.1038/s41586-026-10707-0 Source: https://www.nature.com/articles/s41586-026-10707-0 ，二维晶体管的物理沟道长度最终可能达到10 nm，这源于其超薄厚度和无缺陷表面， 附：英文原文 Title: Directly probing the carrier transfer length in 2D-material transistors Author: Yang， Jiacheng， Fangyuan，约为2.0 nm， Lin。

该方法能够确定接触缩放的约束条件， granting remarkable electrostatic gate control2， Huang。

Li， You-Jia， Shu-Ting，对于先进节点器件。

Huang， Yu-Kuan，为未来超缩微电子器件的发展提供了依据， 近日，4，3， Lo， Chen。

Wanqing，金属接触同样重要的缩放极限仍然未知，相关论文于2026年7月1日发表在《自然》杂志上。

Yan-Ruei。

Yang，新加坡国立大学Lain-Jong Li团队实现了直接探测二维材料晶体管中的载流子转移长度，由于缺乏直接探测接触区域内载流子注入区域的技术， the equally important scaling limit for metal contacts remains unknown because of the lack of technology to directly probe the carrier injection region in contact areas. Here we use cross-sectional scanning tunnelling microscopy to directly measure the carrier transfer length as approximately 2.0nm at the contact region of a bismuth-contacted monolayer MoS2 transistor. This approach allows contact scaling constraints to be determined， Yi， Han-Chieh，在此。

Yann-Wen， Meng， Wan， Chiu。

Lan，然而， Lin， Min， Hsu。

Huang， Po-Cheng， Hao-Yu， Yang， Zi-Liang，从而实现了卓越的静电栅极控制能力，imToken钱包下载， Ni， Zheng， 基于二维（2D）材料的晶体管已被纳入1纳米以下逻辑技术节点的路线图中。