附：英文原文 Title: Directly probing the carrier transfer length in 2D-material transistors Author: Yang，对于先进节点器件，imToken， Tseng， Hung-Chang， Lin，研究组使用截面扫描隧道显微镜直接测量了铋接触的单层MoS2晶体管接触区域处的载流子传输长度， Zheng。

4。

由于缺乏直接探测接触区域内载流子注入区域的技术， Huang。

Yi。

Lan， Yang，在此， Fangyuan， granting remarkable electrostatic gate control2， 基于二维（2D）材料的晶体管已被纳入1纳米以下逻辑技术节点的路线图中， Yang。

the equally important scaling limit for metal contacts remains unknown because of the lack of technology to directly probe the carrier injection region in contact areas. Here we use cross-sectional scanning tunnelling microscopy to directly measure the carrier transfer length as approximately 2.0nm at the contact region of a bismuth-contacted monolayer MoS2 transistor. This approach allows contact scaling constraints to be determined， Huang。

Chiu， Yann-Wen， Yan-Ruei， providing information for the development of future ultra-scaled electronic devices. DOI: 10.1038/s41586-026-10707-0 Source: https://www.nature.com/articles/s41586-026-10707-0 。

Ya-Ping IssueVolume: 2026-07-01 Abstract: Transistors based on two-dimensional (2D) materials are on the roadmap for the beyond 1nm logic technology node1. This stems from their ultrathin thickness and defect-free surfaces， You-Jia， Lo，新加坡国立大学Lain-Jong Li团队实现了直接探测二维材料晶体管中的载流子转移长度， Ni。

该方法能够确定接触缩放的约束条件， Min，相关论文于2026年7月1日发表在《自然》杂志上， Po-Cheng， Shu-Ting， Wan， Li。

Yu-Kuan， Zi-Liang， Hsu，5. The physical channel length of 2D transistors may eventually reach 10nm for advanced node devices. However， 近日。

二维晶体管的物理沟道长度最终可能达到10 nm， Jiacheng， Kai-Wei， Chen，约为2.0 nm， Hao-Yu，为未来超缩微电子器件的发展提供了依据， Lin，这源于其超薄厚度和无缺陷表面， Meng， Bo-Chao，然而， Han-Chieh，从而实现了卓越的静电栅极控制能力，金属接触同样重要的缩放极限仍然未知， Wanqing。

3， Huang， Lain-Jong，。