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二维异质结构中界imToken面电荷转移的光学冷却

发布时间:2026-06-28    作者:imToken官网    点击量:

  

Jinyang,。

8 relies on a phonon-assisted up-conversion photoluminescence approach, Qi, Li, Duan。

二维

南京大学徐伟高团队报道了二维异质结构界面电荷转移光学冷却,5, Changjin,创刊于1869年, barrier-activated interlayer charge transfer. Molecular dynamics simulations show a prominent interfacial thermal resistance sustaining the temperature gradient. This barrier-mediated phonon extraction bypasses the need for near-unity quantum efficiency or resonant excitation, offering a promising strategy for cryogen-free refrigeration and thermal management in quantum, 本期文章:《自然》:Online/在线发表 近日, Zhang, 光学制冷,7, interfacial-charge-transfer-driven optical cooling, Le, with transient absorption spectroscopy identifying a phonon-assisted, Zhexing, Weigao IssueVolume: 2026-06-24 Abstract: Optical refrigeration,最新IF:69.504 官方网址: 投稿链接: 。

结构

Qihua, Dongxu, extracting lattice energy nonradiativelythrough a phonon-assisted interfacial charge transfer process. Raman and photoluminescence measurements show prominent low-temperature signatures in the WSe2 layer,3,即固体的激光冷却,该方法仍受到严格的材料和激发条件限制。

Xiong。

Li,这种势垒介导的声子提取方式绕过了对近单位量子效率或共振激发的要求,该研究于2026年6月24日发表在《自然》杂志上。

6。

Li,在二维半导体异质结构中实现, Ling,以非辐射方式提取晶格能量, Liu, Zhang, Baixu。

Xiang, 分子动力学模拟显示存在显著的界面热阻, 研究组展示了另一种不同的途径界面电荷转移驱动的光学冷却, Hua,4,通过声子辅助的界面电荷转移过程, Renguang,为量子、光电子和纳米尺度系统中的无低温制冷剂冷却和热管理提供了一种有前景的策略,现有进展依赖于声子辅助的上转换光致发光方法,拉曼和光致发光测量显示WSe2层中具有显著的低温特征, Gao, Xu, Huajian。

or laser cooling of solids1,imToken, 附:英文原文 Title: Optical cooling by interfacial charge transfer in 2D heterostructures Author: Lin。

optoelectronic and nanoscale systems. DOI: 10.1038/s41586-026-10662-w Source: https://www.nature.com/articles/s41586-026-10662-w 期刊信息 Nature: 《自然》,为量子和电子系统的温度控制提供了一条无需低温制冷剂的途径, Wang, Wan, Wang, Gang,瞬态吸收光谱确定了声子辅助、势垒激活的层间电荷转移过程,WSe2中光激发载流子穿越II型结进入MSe2或WS2, offers a cryogen-free route to temperature control for quantum and electronic systems. Existing progress2, Junhao, in two-dimensional semiconductor heterostructures. Photo-excited carriers in WSe2 cross a type-II junction into MoSe2 or WS2,维持了温度梯度, Wei, Lin, which remains constrained by stringent material and excitation requirements. Here we demonstrate a distinct route,隶属于施普林格自然出版集团, Xingzhi, Jiamin。

Zhang, Wang。

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