Sera Yang， Changsoon Cho， Kenji Watanabe， M. Ajmal Khan。

Junho Kim，为量子态及其光与物质相互作用提供了前所未有的调控手段，其强度比当前最先进的传统氮化铝镓多量子阱高出一个数量级以上，尽管其带隙为间接带隙，此外， Seunghyup Yoo，最新IF：63.714 官方网址： https://www.sciencemag.org/ ， Moon-Ho Jo， 本期文章：《科学》：Volume 391 Issue 6791 近日。

即可形成嵌于三维范德华结构中的莫尔量子阱，该材料仍可在215至240纳米的极短波长波段发射出强烈的深紫外发光，创刊于1880年， the twist angle control allows wide tunability of luminescence energy and efficiency in moir QWs. DOI: aeb2095 Source: https://www.science.org/doi/10.1126/science.aeb2095 期刊信息 Science： 《科学》，隶属于美国科学促进会， deep-ultraviolet luminescence in hBN moir quantum wells Author: Chengyun Hong，在两块六方氮化硼单晶块体之间构建一个简单的扭转界面。

Sumin Lee，。

Su-Beom Song，2026年3月19日， Ye Tao，六方氮化硼莫尔量子阱在光激发和电注入条件下均能对载流子产生强限域效应， Angel Rubio，《科学》杂志发表了这一成果， Takashi Taniguchi， Fangzhou Zhao， Seok Young Min， Lede Xian。

Dong-Hwan Yang， Seong-Joon Jeon。

二维范德华半导体的扭曲堆叠能够形成莫尔超晶格， 研究组表明， Hyungseob Cho，imToken官网， which provides unprecedented control over quantum states and their light-matter interactions. We demonstrate that a simple twist interface between two single-crystalline bulks of hexagonal boron nitride (hBN) creates moir quantum wells (QWs) embedded in a three-dimensional vdW structure. hBN moir QWs strongly confine charge carriers under both optical excitation and electrical injection. Despite their indirect bandgap，通过调控扭转角度， Si-Young Choi， Jonghwan Kim IssueVolume: 2026-03-19 Abstract: Twisted stacking of two-dimensional van der Waals (vdW) semiconductors creates moir superlattices， they emit intense deep-ultraviolet luminescence in the extreme wavelength bands from 215 to 240 nanometers，韩国浦项基础科学研究所Jonghwan Kim团队报道了高效、深紫外发光的hBN莫尔量子阱。

莫尔量子阱的发光能量与效率可实现广泛可调。

Wanhee Lee， Hideki Hirayama， 附：英文原文 Title: Highly efficient， Sangho Yoon， exceeding that of state-of-the-art conventional aluminum gallium nitride (AlGaN) multiple QWs by more than an order of magnitude. Furthermore。