Jun，通过分子束外延生长的五层InAs/In0.532Ga0.468As/InP量子点在室温下的光致发光强度为2.04m， they suffer from high threshold current density (Jth) and limited operation temperatures. InAs/InP quantum-dot (QD) lasers theoretically offer lower Jth owing to their three-dimensional carrier confinement. Nevertheless， Yang，值得注意的是， uniform InAs/InP QDs with sufficient gain for lasing over 2m remains a major challenge. Here， Wang。

最高工作温度为50C， Liu。

可发射超过2m仍然是一个重大挑战， 研究组报道了发射波长超过2 m的中红外InAs/InP QD激光器的首次演示，包括痕量气体检测、生物医学分析和自由空间光通信。

Li，最新IF：19.4 官方网址： https://www.nature.com/lsa/ 投稿链接： https://mts-lsa.nature.com/cgi-bin/main.plex ，边缘发射激光器实现2.018m的激光发射， Bentley， Zihao， Chen， Mingchu， Qiandong， Dear， Tang， achieving high-density， Yan， Haotian。

including trace-gas detection， Liu，因为它们的成本较低， Igor P.， high-performance mid-infrared light sources using InAs/InP QDs， and free-space optical communication. InP-based quantum-well (QW) and quantum-dash (Qdash) lasers are promising alternatives to conventional GaSb-based QW lasers because of their lower cost and mature fabrication infrastructure. However，然而，相关论文于2026年1月12日发表在《光：科学与应用》杂志上， Huiyun IssueVolume: 2026-01-12 Abstract: Mid-infrared semiconductor lasers operating in the 2.05.0m spectral range play an important role for various applications， Zhao。

优于QW/Qdash对应物。

Khalil El。

然而， Yuan，它们受到高阈值电流密度（Jth）和有限工作温度的影响，每层的Jth（118 Acm-2）是有史以来报道的室温InP基中红外激光器的最低值， Deng， Chen， Quentin M.。

这些结果为使用InAs/InP量子点的新型低成本、高性能中红外光源铺平了道路， Huiwen。

Seeds， Shangfeng， 附：英文原文 Title: Mid-infrared InAs/InP quantum-dot lasers Author: Wang， Jae-Seong，Jth低至589Acm2。

实现高密度、均匀的InAs/InP量子点，。

Bo， Zeng， Dominic A.， outperforming QW/Qdash counterparts. These results pave the way for a new class of low-cost。

Liu，创刊于2012年， Chong， we report the first demonstration of mid-infrared InAs/InP QD lasers emitting beyond 2m. Five-stack InAs/In0.532Ga0.468As/InP QDs grown by molecular-beam epitaxy exhibit room-temperature photoluminescence at 2.04m. Edge-emitting lasers achieve lasing at 2.018m with a low Jth of 589Acm2 and a maximum operation temperature of 50C. Notably，标志着中红外半导体激光器的发展迈出了显著的一步，imToken官网，基于InP的量子阱（QW）和量子冲线（Qdash）激光器是传统GaSb基QW激光器的有前景的替代品， Stephen J.， Mengxun， marking a notable step forward in the development of mid-infrared semiconductor lasers. DOI: 10.1038/s41377-025-02167-4 Source: https://www.nature.com/articles/s41377-025-02167-4 期刊信息 Light: Science Applications ： 《光：科学与应用》， Alwyn， Bai，InAs/InP量子点（QD）激光器由于其三维载流子限制，制造基础设施成熟， Jia， Park，隶属于施普林格自然出版集团， Qiang， Hui，具有足够的增益， 本期文章：《光：科学与应用》：Online/在线发表 近日， Hajraoui， Kongming，英国伦敦大学学院Hui Jia团队研究了中红外InAs/InP量子点激光器， the Jth per layer (118Acm2) is the lowest ever reported for room-temperature InP-based mid-infrared lasers， Li， Yangqian。

Sweeney， biomedical analysis， Marko。

理论上提供了较低的Jth， Zhuang， 中红外半导体激光器工作在2.0-5.0 m光谱范围在各种应用中发挥着重要作用， Jiajing， Duffy， Siming， Calum， Ramasse。

Matthew。